围绕化合物半导体氮化镓（GaN）材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和数字驱动芯片。其中人工智能动力系统芯片、SDR 无人机芯片、高集成AM数字驱动mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等获得数10项发明专利。
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中科无线半导体，由中国科大校友团队创办，具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验，是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
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氮化镓晶体管
100V GaN 开关管
主要用于电机驱动
650V E-MODE GaN HEMT
DFN 5mm×6mm
增强型硅基GaN功率晶体管
超高开关频率
SOP8 4.9mm×3.9mm
高性能PWM 控制器
用于快充充电器，
电池充电器和适配器电源
高性能同步整流功率开关
集成60V N沟道功率MOS
与CT1005组合，
用于PD 20W手机快充
