围绕化合物半导体氮化镓(GaN)材料技术及研制应用于人工智能领域的大规模模拟和数字驱动芯片。其中人工智能动力系统芯片、SDR 无人机芯片、高集成AM数字驱动mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等获得数10项发明专利。
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中科无线半导体,由中国科大校友团队创办,具备多年化合物功率半导体研发及产业化经验,是一家基于化合物材料研发及生产的高端模拟芯片设计公司。
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13×15×2.1mm
接口:SDIO3.0×1
(5.8G or 2.4G RF)
UART×1(GNSS/BT)
17mm×17mm×2.1mm
接口:SDIO3.0×1;UART×1;
17×17×2.1mm
TXPOWER:23dbm~30.5dbm
(可选)
频段:2.3GHz~6GHz
尺寸:13×15×2.1mm
TX POWER=33 dBm
通信延时低于5ms
射频带宽:1/2/4/8 Mhz
传输速率:2Mbps, 4Mbps, 500Kbps, 100Kbps
灵敏度:5.8G:-91dbm @4Mbps,-93dbm@2Mbps;
Sub1G: -88dbm@2Mbps,-96dbm @500Kbps
5mm×6.5mm LGA-30pin
2×GaN HEMT + 1×半桥驱动器
适用于轻量化应用场景
8mm×8mm LGA-15pin
6×GaN HEMT
适用于消费电子类成本敏感型设备
10mm×10mm LGA-16pin
6×GaN HEMT + 3×半桥驱动器
适用于机器人关节驱动、新能源设备
及工业伺服系统等高功率密度场景
· 双向阻断能力
· GaN E型HEMT技术
· 超低导通电阻